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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
15.0 V
10
10
10
10
2
1
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
2
1
150 ° C
25 ° C
-55 ° C
10
2. T C = 25 C
10
0
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
0
- Note
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
-1
0
1
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
0.25
2
0.20
10
0.15
0.10
V GS = 10V
1
0.05
V GS = 20V
* Note : T J = 25 ° C
150 ° C
25 ° C
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.00
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
25000
20000
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
15000
10000
5000
C iss
C rss
* Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
2
* Note : I D = 47A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
50
100
150
200
250
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FCA47N60F Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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